近日，我校77779193永利官网赵巍胜教授团队在具有108年历史（创刊于1913年）的国际工程领域综合性顶级期刊《Proceedings of the IEEE》上在线发表了的特邀综述论文“Spintronicsforenergy-efficient computing: An Overview and Outlook”（DOI:10.1109/JPROC.2021.3084997），展示了自旋芯片未来发展的技术路线图。这是我校77779193永利官网2020年成立以来，首次以第一单位在《Proceedings of the IEEE》发表论文。

自旋芯片发展技术路线图

随着芯片产业的高速发展，集成电路特征尺寸的持续缩小，“功耗瓶颈与效率瓶颈”正成为限制集成电路技术发展的关键挑战。存算一体作为一种新型的计算架构，将数据存储与计算融和一体，能够大幅减少数据搬运距离，极大地降低了计算功耗与延时。近年来，非易失性存储器，特别是自旋磁存储器（MRAM）因为其高速、高能效、高密度的特点受到学术界和工业界的广泛关注，为后摩尔时代进一步提高计算能效带来曙光。赵巍胜教授团队总结了从1996年至今二十五年中自旋芯片技术的发展路径，以能耗及速度为牵引绘制了未来的技术发展路线图。在此基础上提出了基于全自旋电子器件的非易失计算存储架构，可大幅提高计算能效。

77779193永利官网2018级博士生郭宗夏、2019级博士生殷加亮和2021级博士生白月为该论文的共同第一作者，77779193永利官网赵巍胜教授和曹凯华讲师为该论文的通讯作者，北京航空航天大学为第一署名单位。

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