近日，我院赵巍胜团队于《NatureCommunications》发表的论文“Current-induced magnetization switching in atom-thick tungstenengineered perpendicular magnetic tunnel junctions with large tunnelmagnetoresistance”同时入选ESI“热点论文（Hot Paper）”和“高被引论文（Highly Cited Paper）”。文章报道了一种性能卓越的纳米垂直磁各向异性隧道结器件，通过使用单原子层钨构成的双界面结构，将隧穿磁阻比率提高至249%，较IBM、IMEC及高通等公司此前公布的数据提升了30%，达到国际先进水平。此外，该实验首次实现了基于这一体系的自旋转移矩翻转，写入电流密度最低可至3.0 MA cm-2。该成果线上发表于2018年2月。我校教师王梦醒为该论文的第一作者，赵巍胜教授是唯一通讯作者，北京航空航天大学为第一单位。该工作获得了我校大数据与脑机智能高精尖中心、国家自然科学基金及北京市科技计划鼎力支持。

目前，美日韩等发达国家已经走在STT-MRAM技术前端，英特尔、三星等也为商业化生产做好了战略布局。该工作瞄准国家重大战略需求与国际科技前沿，为我国存储器行业征战新的技术革命提供了新方法与新思路。  

注：热点论文是按ESI学科统计最近两年发表、在最近两个月内被引用次数进入世界前0.1%的论文。高被引论文是根据同一年同一ESI学科统计最近10年发表论文中被引用次数进入世界前1%的论文。