近日,北京航空航天大学微电子学院在超低功耗自旋逻辑器件研究中取得新进展,相关论文“Skyrmion-based Ultra-low Power Electric-field-controlled Reconfigurable (SUPER) Logic Gate”被电子器件领域顶级期刊IEEE Electron Device Letters (EDL) (IF:3.753)发表,并被选为封面论文。我校微电子学院张悦副教授和赵巍胜教授为论文通讯作者,本科生朱元治和博士研究生张志仲为论文共同第一作者。
该工作利用亚铁磁材料中斯格明子具有的超快磁动力学特性,提出一种超低功耗可重构逻辑门结构,突破了基于铁磁材料的传统自旋电子器件在速度和功耗上的限制。同时,通过独特的级联设计,该逻辑门可实现更高能效的并行计算模式。该研究成果为未来研发“三高一低”(高速、高密度、高可靠性、低功耗)计算系统提供了新型解决方案。
IEEE Electron Device Letters创刊于1980年,是电气和电子工程师协会(IEEE)旗下电子器件分会(EDS)的旗舰期刊,2019年的影响因子为3.753。
我校微电子学院一直非常重视本科生培养,朱元治同学从大二开始就进入课题组参与科学研究,在张悦副教授的指导下开展面向自旋逻辑的微磁学仿真工作。经过推荐,大三暑假赴日本东京大学开展两个月的学术交流,目前正在德国慕尼黑工业大学进行交换培养。
本论文研究工作得到了国家自然科学基金、中国科协青年人才托举工程、我校青年拔尖人才计划等项目支持。
论文链接:https://ieeexplore.ieee.org/document/8864055/